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公开/公告号CN113505887B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-04
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江大学;
申请/专利号CN202111065383.7
发明设计人 卓成;尹勋钊;黄庆荣;高迪;
申请日2021-09-12
分类号G06N3/08(20060101);
代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;
代理人刘静
地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
入库时间 2022-08-23 12:53:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-01-04
授权
发明专利权授予
机译: 具有电阻的忆阻器装置,其通过自旋转移来移动磁壁并在神经网络中使用所述忆阻器而可调节
机译: 忆阻器电阻装置可根据磁壁的位移通过自旋传递进行调整,并在神经网络中使用该忆阻器
机译: 具有通过自旋转移移动磁壁来调节电阻的忆阻器装置以及在神经网络中使用所述忆阻器
机译:基于两相权重映射和忆阻器编程的基于忆阻器交叉开关的神经网络设计的变差方案
机译:基于混合忆阻器的基于随机忆阻器的神经网络的自适应同步
机译:具有忆阻器的基于忆阻器的复值神经网络的输入状态稳定性
机译:针对基于忆阻器的内容可寻址存储器的优化单元结构
机译:探索用于逻辑和存储器应用的自旋转矩装置和忆阻器。
机译:Ag-Ag2S-Ag忆阻器中的不对称感应电阻切换可简化原子级存储器设计
机译:一种紧凑的四个晶体管CMOS - 用于自适应尖峰神经网络和相应的自X传感器电子产品4.0的浮动忆阻器的设计。
机译:电化学忆阻器的表征和物理模型。