具有啁啾超晶格最终势垒结构的深紫外LED及制备方法

摘要

本发明公开了一种具有啁啾超晶格最终势垒结构的深紫外LED及制备方法，该深紫外LED包括蓝宝石衬底、AlN本征层、N型AlGaN层、电流扩展层、量子阱有源层、啁啾超晶格最终势垒层、电子阻挡层、P型AlGaN注入层和P型GaN接触层；所述啁啾超晶格最终势垒层为厚度啁啾且由若干AlaGa1‑aN层和若干AlbGa1‑bN层周期交替组成的超晶格结构。本发明通过引入啁啾超晶格最终势垒层，降低了电子隧穿至P型AlGaN注入层的概率，削弱了电子溢流效应，从而提高了深紫外LED的发光效率。