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具有啁啾超晶格最终势垒结构的深紫外LED及制备方法

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摘要

本发明公开了一种具有啁啾超晶格最终势垒结构的深紫外LED及制备方法，该深紫外LED包括蓝宝石衬底、AlN本征层、N型AlGaN层、电流扩展层、量子阱有源层、啁啾超晶格最终势垒层、电子阻挡层、P型AlGaN注入层和P型GaN接触层；所述啁啾超晶格最终势垒层为厚度啁啾且由若干Al

1. 具有啁啾超晶格最终势垒结构的深紫外LED及制备方法 [P] . 中国专利： CN110600591B . 2021.11.26
2. 具有啁啾超晶格最终势垒结构的深紫外LED及制备方法 [P] . 中国专利： CN110600591A . 2019-12-20
3. Optical semiconductor device with multiple quantum well structure, e.g. LED, has alternate well layers and barrier layers forming super-lattices [P] . 德国专利： DE19955747A1 . 2001-05-23

机译：具有多个量子阱结构的光学半导体器件，例如LED，具有形成超晶格的交替阱层和势垒层
4. Light emitting diode having well and/or barrier layers with superlattice structure [P] . 美国专利： US9466761B2 . 2016-10-11

机译：具有阱和/或势垒层具有超晶格结构的发光二极管
5. Light emitting diode having well and/or barrier layers with superlattice structure [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1976031A3 . 2010-09-08

机译：具有阱和/或势垒层具有超晶格结构的发光二极管