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目录
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 GaN材料的晶体结构和性质
1.3 紫外LED应用
1.4 紫外LED发展和前景
1.5 本文研究内容
第二章 GaN基材料的外延生长
2.1 引言
2.2 MOCVD外延生长技术
2.3 GaN基材料外延衬底的选择
2.4 GaN基材料的缺陷
2.5 GaN基材料的p型掺杂
2.6 本章小结
第三章 超晶格增强p型掺杂研究
3.1 引言
3.2 超晶格简介
3.3 AlGaN/GaN的极化效应
3.4 .超晶格的掺杂机理分析
3.5 超晶格结构仿真研究
3.6 本章小结
第四章 p型超晶格结构紫外LED性能研究
4.1 引言
4.2 实验参数
4.3 外延芯片结晶质量分析
4.4 超晶格结构LED器件C-V特性分析
4.5 超晶格结构LED器件I-V特性分析
4.6 LED器件光学特性分析
4.7本章小节
第五章 总结与展望
参考文献
致谢
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1.基本情况
2.教育背景