全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法

摘要

一种采用全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法，具有优化处理的掩模图形数据；合适的掩模图形曝光工艺；合适的显影条件；严格控制铬模腐蚀条件；曝光后的掩模处理工艺；选择干法刻蚀的移相器制作工艺，合适的移相层厚度的确定等特点，且采用g线436nm波长的光源制备出分辨率高的100nm图形。本发明方法，大大提高了g线436nm波长光源的曝光分辨率，使得我们在没有昂贵的193nm波长光源的光学光刻设备(在1100万美元)的情况下，也能曝光出分辨率非常高的图形。本发明是一种经济实用的制造100nm图形的新方法，可以满足纳米电子器件研究迫切需要廉价的纳米加工手段的需求。