公开/公告号CN111424315B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-23
原文格式PDF
申请/专利权人 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司;
申请/专利号CN202010419341.8
申请日2020-05-18
分类号C30B29/06(20060101);C30B15/14(20060101);
代理机构11243 北京银龙知识产权代理有限公司;
代理人许静;陈丽宁
地址 710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
入库时间 2022-08-23 12:50:44
机译: 单晶炉,单晶炉和水晶棒的热场结构
机译: 单晶炉的热场结构,可消除热屏蔽外部的挥发性成分的沉积
机译: 制造阴极射线管的方法的改进本发明涉及一种制造阴极射线管的方法的改进,该方法包括壳体和安装组件,该壳体和安装组件包括至少一个阴极和用于密封在外壳中的阴极射线管的加热器。所述方法包括以下步骤:在约300℃至450℃的温度下烘烤所述壳体和安装套件,并且在密封所述壳体之前同时从所述壳体排出气体。其特征在于,在烘烤和卸载的同时阶段,在顺序应用中然后在同时应用中,射频能量被施加到安装组件,并且电流通过加热器被施加。