公开/公告号CN111979579B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-09
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN202010857467.3
申请日2020-08-24
分类号C30B29/04(20060101);C30B25/00(20060101);C23C16/27(20060101);C23C16/511(20060101);
代理机构23213 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司;
代理人侯静
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2022-08-23 12:46:17
机译: 用于生长单晶的高温化学气相沉积装置的坩埚和用于生长单晶的高温化学气相沉积装置的坩埚
机译: 微波等离子体辅助化学气相沉积沉积的化学气相沉积在高温下的高温等离子体生长高同质金刚石薄膜沉积
机译: 化学气相沉积反应器通过微波等离子体化学气相沉积生长金刚石膜