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机译:点弧远程等离子体化学气相沉积,用于高质量单晶金刚石选择性生长
Waseda Univ Sch Sci & Engn 3-4-1 Okubo Tokyo 1698555 Japan;
Nagoya Univ Inst Mat & Syst Sustainabil Chikusa Ku Furo Cho Nagoya Aichi 4648603 Japan|Kyushu Univ Fukuoka Fukuoka Japan;
Waseda Univ Sch Sci & Engn 3-4-1 Okubo Tokyo 1698555 Japan|Waseda Univ Kagami Mem Lab Mat Sci & Technol 2-8-26 Nishiwaseda Tokyo 1690051 Japan;
contaminant free; point-arc remote microwave plasma chemical vapor deposition; precise thickness control; selective growth; single-crystal diamond;
机译:使用微波等离子体化学气相沉积硼掺杂的单晶金刚石生长。使用微波等离子体化学气相沉积
机译:具有反应性(H,C,N)物质的微波等离子体化学气相沉积研究单晶金刚石生长的数值模拟
机译:微波等离子体化学气相沉积中硼掺杂和生长行为的硫磺掺杂和生长行为
机译:三聚氰胺流速对纳米晶体化学气相沉积法对纳米晶金刚石膜生长行为的影响
机译:晶格匹配的III-V / IV组半导体异质结构:金属有机化学气相沉积和远程等离子体增强化学气相沉积。
机译:单晶金刚石的极高生长速率化学气相沉积
机译:使用微波等离子体化学气相沉积与反应性(H,C,N)物种进行单晶金刚石生长的数值模拟
机译:通过微波等离子体辅助化学气相沉积在高温下高生长率同质外延金刚石膜沉积