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一种存储器的真实建模验证方法、装置、存储介质和终端

摘要

本发明公开了一种存储器的真实建模验证方法、装置、存储介质和终端,通过使用Verilog代码对非易失存储器的memory cell进行建模,在收到写或者擦指令时,产生一个随机数,根据随机数对memory cell模型执行写或擦,当检测到操作次数达到随机数时,使memory cell模型内的对应地址写为0或擦为1;在对非易失存储器控制端的验证阶段,通过Verilog代码建立一个高度接近实际的memory cell模型,通过验证memory cell模型去模拟非易失存储器控制端的真实特性,能更加准确的验证控制端操作的准确性,而且自动检查修复操作结果则增强了验证的自动化程度。

著录项

  • 公开/公告号CN112464498B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 芯天下技术股份有限公司;

    申请/专利号CN202011552567.1

  • 发明设计人 张新展;陈胜源;朱雨萌;张宇;

    申请日2020-12-24

  • 分类号G06F30/20(20200101);

  • 代理机构44377 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人陈志超;唐敏珊

  • 地址 518000 广东省深圳市龙岗区园山街道荷坳社区龙岗大道8288号大运软件小镇10栋101

  • 入库时间 2022-08-23 12:46:11

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