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公开/公告号CN107004436B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-02
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201580061614.3
发明设计人 U·阿斯兰;C·德雷;
申请日2015-11-06
分类号G11C7/14(20060101);G11C13/00(20060101);G11C29/02(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人高见
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 12:44:42
机译: 用于提高源极线电压以减少电阻式存储器泄漏的设备
机译: -用于增强源极线电压以减少电阻式存储器泄漏的装置
机译: 增强源极线电压以减少电阻式存储器泄漏的装置
机译:用于皮肤的可穿戴设备中基于硝酸纤维素的灵活防水电阻式随机存取存储器
机译:用于存储器和内存计算应用的电阻式开关设备的基于物理的建模方法
机译:集成了纳米发电机的电阻式开关存储器,用于自供电生物可植入设备
机译:60%循环时间加速,55%的能量减少,通过自动选择性提升(ASB)方案32kbit SRAM用于随机变化中的慢速存储器单元
机译:电阻式切换存储器和可重配置设备。
机译:多功能隧道势垒内部电阻器用于电阻式随机存取存储器中的选择性和开关均匀性
机译:逐行动态源线电压控制(RRDsV)方案,用于减少亚1VVDD sRam的两个数量级漏电流
机译:marineTerminals装载和卸载操作中的人员和组织错误:减少油轮和化学品泄漏。最大限度地减少人为和组织错误的工程