具有牺牲多晶硅层的接触蚀刻停止层

摘要

本发明涉及具有牺牲多晶硅层的接触蚀刻停止层，该接触蚀刻停止层包括形成于牺牲栅极结构上面的氮化物层与形成于该氮化物层上面的多晶硅层。在后续制程期间，该多晶硅层适合氧化且形成氧化物层。该多晶硅层的氧化有效遮蔽底下的氮化物接触蚀刻停止层免受氧化，这保护该氮化物层的机械完整性。