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开口内底部薄膜剩余厚度的判别方法

摘要

本发明提供一种开口内底部薄膜剩余厚度的判别方法,适用于检测一集成电路内的一开口,包括下列步骤:提供一第一开口与一第二开口;利用一电子束扫描该第一开口与第二开口,以产生各自的电压对比影像;透过所述电压对比影像以判定该第一开口的一第一灰阶以及该第二开口的一第二灰阶;量测该第一开口内的第一剩余厚度;以及采用该第一剩余厚度与该第一灰阶与第二灰阶间的比例以判定该第二开口内的一第二剩余厚度。本发明所述的开口内底部薄膜剩余厚度的判别方法,可判定介层物/接触物开口的剩余厚度,精准地调整蚀刻接触蚀刻停止层的蚀刻程序。

著录项

  • 公开/公告号CN100481363C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-04-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN200710079914.1

  • 发明设计人 陈国香;雷明达;王永智;黄加星;

    申请日2007-02-16

  • 分类号

  • 代理机构北京林达刘知识产权代理事务所;

  • 代理人刘新宇

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-04-22

    授权

    授权

  • 2007-10-24

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-08-29

    公开

    公开

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