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公开/公告号CN112490612B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-29
原文格式PDF
申请/专利权人 许昌学院;
申请/专利号CN202011199862.3
发明设计人 冯团辉;王利敏;
申请日2020-11-02
分类号H01P7/06(20060101);
代理机构44545 深圳众邦专利代理有限公司;
代理人崔亚军
地址 461000 河南省许昌市魏都区八一路88号
入库时间 2022-08-23 12:41:06
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译: 单结积分的异质结双极晶体管和光学波导装置
机译: 异质结二极管,一种制造异质结二极管的方法和一种包括异质结二极管的电子设备
机译:基于共面波导的单一负超材料的制备新方法
机译:基于共面波导的硅Mach-Zehnder调制器,采用曲折光波导和交变侧PN结负载
机译:基于由单负材料组成的光子异质结的极化独立的窄带通滤光片和窄透射角滤光片
机译:基于共面波导的单阴性超材料的制造
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:可变形共面波导(CPW)和半模衬底集成波导(HMSIW)带阻滤波器使用压敏电阻加载超材料激发的开放式谐振器
机译:从部分负双负或单负超材料加载的腔体散射的异常性质。
机译:电子发射体的材料数据和理论。基于异质结双极晶体管,冷阴极和共平面波导技术组合的宽带微波放大器设计。