室温高自旋霍尔角铂-稀土薄膜材料及其制备方法和应用

摘要

一种室温高自旋霍尔角铂‑稀土薄膜材料，属于自旋电子新材料技术领域。所述薄膜材料为生长于基片表面的铂‑稀土合金薄膜，所述铂‑稀土合金薄膜中，稀土元素的摩尔百分比为1mol％～60mol％，铂的摩尔百分比为40mol％～99mol％。本发明提供的一种室温高自旋霍尔角铂‑稀土薄膜材料及其制备方法，简单可行，制得的铂‑稀土薄膜相对于纯铂薄膜的室温下的自旋霍尔角度显著增加，室温自旋扩散长度减小；与纯铂金材料的自旋霍尔效应相比，自旋流的产生效率增加，成本降低，可实现在大面积半导体晶圆片上的均匀制备，为巨自旋霍尔材料的大面积制备与研究提供了一种新的方法。