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形成阶梯结构的方法以及相关阶梯结构和半导体装置结构

摘要

本申请涉及形成阶梯结构的方法以及相关阶梯结构和半导体装置结构。所述方法包括在分层之上形成经过图案化的硬掩模。去除最上部分层的暴露部分以形成最上部阶梯。在所述经过图案化的硬掩模和所述最上部分层之上形成第一内衬材料,并且去除所述第一内衬材料的一部分以形成第一内衬并且暴露下面的分层。去除所述下面的分层的暴露部分以在所述下面的分层中形成下面的阶梯。在所述经过图案化的硬掩模、所述第一内衬和所述第二内衬之上形成第二内衬材料。去除所述第二内衬材料的一部分以形成第二内衬并且暴露另一个下面的分层。去除所述另一个下面的分层的暴露部分以形成另一个下面的阶梯。去除所述经过图案化的硬掩模。还公开了阶梯结构和半导体装置结构。

著录项

  • 公开/公告号CN111542918B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN201880083727.7

  • 申请日2018-12-14

  • 分类号H01L21/768(20060101);H01L23/522(20060101);H01L23/528(20060101);H01L27/11556(20060101);H01L27/11582(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王龙

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2022-08-23 12:40:00

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