公开/公告号CN111542918B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-26
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN201880083727.7
申请日2018-12-14
分类号H01L21/768(20060101);H01L23/522(20060101);H01L23/528(20060101);H01L27/11556(20060101);H01L27/11582(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2022-08-23 12:40:00
机译: 形成包括阶梯结构的半导体器件结构的方法,以及相关的半导体器件结构和半导体器件
机译: 形成包括阶梯结构和相关的半导体器件的半导体器件结构的方法
机译: 形成包括阶梯结构和相关的半导体器件的半导体器件结构的方法