一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法，属于纳米材料领域，将衬底置于反应腔，在真空下，以式1所示结构的化合物为Ni前驱体，以甲酸、乙酸、丙酸、丁酸中的一种或几种为碳源；以脉冲形式向反应腔中通入气相Ni前驱体，得到沉积有Ni前驱体的衬底；然后充入惰性气体进行吹扫后，将气相碳源以脉冲形式通入反应腔，与沉积在衬底上的Ni前驱体进行反应，得到含单原子层NixC薄膜的衬底；再向充入惰性气体清洗；重复上述ALD生长循环多次，即可得到生长NixC薄膜的衬底。本发明沉积速率高，沉积速率可达0.196nm/循环，且本发明所制备的NixC薄膜的电阻率低。