公开/公告号CN110187499B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-19
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学(深圳);
申请/专利号CN201910457146.1
申请日2019-05-29
分类号G02B27/00(20060101);G02B6/12(20060101);G06N3/04(20060101);
代理机构44248 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙);
代理人胡玉
地址 518000 广东省深圳市南山区西丽深圳大学城
入库时间 2022-08-23 12:38:10
机译: 具有片上集成光子源或光子欧姆漏极的晶体管,以促进将陷于晶体管深阱中的电子去陷获
机译: 绝缘硅上集成光学光栅边缘滤光片的设计与实现
机译: 在MEMS裸片上集成光纤输入/输出装置的光路由机制