公开/公告号CN100466404C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-03-04
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN200610011792.8
申请日2006-04-26
分类号H01S5/183(20060101);H01S5/187(20060101);C23F1/16(20060101);H01L21/3063(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:02:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-06-19
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/183 授权公告日:20090304 终止日期:20120426 申请日:20060426
专利权的终止
2009-03-04
授权
授权
2007-12-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-10-31
公开
公开
机译: 使用砷化铝或砷化铝镓缓冲层提高砷化镓场效应晶体管性能的方法
机译: 砷化镓形成的生产方式及砷砷化铝砷化镓元素的生产方式无效
机译: 砷化铝对砷化铝镓摩尔分数缓冲层的高温砷化镓场效应晶体管