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提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法

摘要

本发明一种提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法,其特征在于,包括如下步骤:(A)在半绝缘砷化镓(100)衬底上,使用分子束外延的方法外延生长200nm的砷化镓缓冲层;(B)在砷化镓缓冲层上生长7个周期的砷化铝/砷化镓分布布拉格反射镜;(C)对砷化铝/砷化镓分布布拉格反射镜进行刻蚀至衬底,形成条形结构;(D)将刻蚀好的材料放入氧化炉中,进行湿法氧化,以把砷化铝氧化成氧化铝;(E)在氧化炉中退火,同时关闭水蒸气,向炉中通氮气进行气体保护,以提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜的界面质量。

著录项

  • 公开/公告号CN101005194A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-07-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200610011224.8

  • 发明设计人 李若园;徐波;王占国;

    申请日2006-01-18

  • 分类号H01S5/183;H01S5/187;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-12-17 18:54:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-01-14

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-09-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-07-25

    公开

    公开

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