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一种晶圆钝化层缺陷的检测方法

摘要

本发明提供了一种晶圆钝化层缺陷的检测方法,包括以下步骤:(1)设计文件导入阶段中,在晶圆划片槽区域插入检测电路结构;在晶圆WAT测试阶段中,测试晶圆中该检测电路结构的电容前值和电阻前值;(2)将步骤(1)所述晶圆进行压力蒸煮后,对晶圆表面进行清洁;(3)将步骤(2)清洁后的晶圆再次对相同划片槽区域进行WAT测试,得到的电容后值和电阻后值与步骤(1)所得前值进行对比,即可判断晶圆钝化层是否存在缺陷。该方法改善了目前仪器分辨率和检测范围的局限性导致的低钝化层缺陷发现率,降低了抽检过程的漏检率。同时,该检测方法可适用于各尺寸的晶圆上的抽检及晶圆厂中的定期常规检测。

著录项

  • 公开/公告号CN111710618B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广芯微电子(广州)股份有限公司;

    申请/专利号CN202010683335.3

  • 申请日2020-07-15

  • 分类号H01L21/66(20060101);G01N21/95(20060101);

  • 代理机构44202 广州三环专利商标代理有限公司;

  • 代理人颜希文

  • 地址 510000 广东省广州市中新广州知识城九佛建设路333号378房

  • 入库时间 2022-08-23 12:36:19

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