法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-04-01
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 43/00 授权公告日:20090506 终止日期:20140216 申请日:20060216
专利权的终止
2009-05-06
授权
授权
2006-09-27
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-08-02
公开
公开
机译: 包含导电衬底的存储器件,其上沉积有非晶或微晶硅碳合金层和非晶或微晶含硅材料层
机译: 非晶有机薄膜器件,非晶有机聚合物组合物和非晶无机组合物
机译: 通过ALD工艺制造非晶NiO薄膜的方法和使用该非晶NiO薄膜的非易失性存储器件