公开/公告号CN106876581B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-08
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201611010093.1
发明设计人 德米特罗·埃帕尔科夫;王淑霞;李将银;
申请日2016-11-16
分类号H01L43/08(20060101);H01L43/12(20060101);H01L27/22(20060101);
代理机构11286 北京铭硕知识产权代理有限公司;
代理人刘灿强;尹淑梅
地址 韩国京畿道水原市
入库时间 2022-08-23 12:36:11
机译: 提供用于自旋转传递转矩磁存储器应用中的磁结的薄(001)取向MgO层的方法和由此形成的磁结
机译: 磁结,磁存储器,用于提供具有改进特性的磁结的方法和系统
机译: 具有改善的特性的磁结,磁存储器,提供磁结的方法和系统