公开/公告号CN106876581A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-06-20
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201611010093.1
发明设计人 德米特罗·埃帕尔科夫;王淑霞;李将银;
申请日2016-11-16
分类号H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22;
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司;
代理人刘灿强
地址 韩国京畿道水原市
入库时间 2023-06-19 02:37:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/08 申请日:20161116
实质审查的生效
2017-06-20
公开
公开
机译: 提供用于自旋转传递转矩磁存储器应用中的磁结的薄(001)取向MgO层的方法和由此形成的磁结
机译: 磁结,磁存储器,用于提供具有改进特性的磁结的方法和系统
机译: 具有改善的特性的磁结,磁存储器,提供磁结的方法和系统