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一种提高含能材料自蔓延反应速度的装置及方法

摘要

本发明公开了一种提高含能材料自蔓延反应速度的装置及方法,涉及含能材料自蔓延反应技术及应用领域,所述装置包括:上金属箔片,所述上金属箔片设置于所述含能材料的一侧,并在正对所述含能材料的一面预置有可与所述含能材料相接触的若干凸点;下金属箔片,所述下金属箔片设置于所述含能材料的另一侧,并在正对所述含能材料的一面也预置有可与所述含能材料相接触的所述若干凸点;所述上金属箔片和所述下金属箔片通过所述若干凸点与所述含能材料接触产生若干接触点,所述若干接触点都有接触电阻;所述接触电阻在电流作用下所积累的电阻热达到所述含能材料的临界诱发温度即可在所述若干接触点诱发所述含能材料的自蔓延反应。

著录项

  • 公开/公告号CN112207424B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN202010919538.8

  • 发明设计人 张延松;罗柽;

    申请日2020-09-04

  • 分类号B23K23/00(20060101);

  • 代理机构31220 上海旭诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人郑立

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2022-08-23 12:33:57

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