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芯片间的导电桥及其制造方法、芯片测试方法

摘要

本发明提供了一种芯片间的导电桥及其制造方法、芯片测试方法,可以在桥接区域中的待刻蚀层和桥面结构中的至少一层中刻蚀形成开口,在光刻胶涂覆和显影时,该开口可以确保桥面结构顶面上的光刻胶以合适的厚度、宽度以及较佳的形貌被有效保留下来(因为开口可以使得其中的光刻胶不被甩出),进而在以该光刻胶层为掩膜刻蚀待刻蚀层而形成导电桥时,光刻胶可以有效保护桥面结构及其顶面上的待刻蚀层,进而达到所需的导电桥形貌和宽度,性能可靠,避免形成的导电桥出现短路和断路的情况,进而减少芯片测试的误判现象。此外,通过导电桥的电传导作用,对导电桥电性连接的所有芯片一起进行点测,测试效率高。

著录项

  • 公开/公告号CN113130343B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202110669407.3

  • 发明设计人 徐希锐;

    申请日2021-06-17

  • 分类号H01L21/66(20060101);B81B7/02(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人田婷

  • 地址 312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号

  • 入库时间 2022-08-23 12:33:51

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