公开/公告号CN107331663B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-28
原文格式PDF
申请/专利权人 上海芯晨科技有限公司;
申请/专利号CN201610283432.7
发明设计人 陈龙;
申请日2016-04-29
分类号H01L27/04(20060101);H01L21/70(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人余明伟
地址 201800 上海市嘉定区平城路811号422室
入库时间 2022-08-23 12:33:45
机译: III族氮化物衬底的制造方法,III族氮化物衬底,具有外延层的III族氮化物衬底,III族氮化物器件,具有外延层的III族氮化物衬底的制造方法以及III族氮化物器件的制造方法
机译: III族氮化物衬底的制造方法,III族氮化物衬底,具有外延层的III族氮化物衬底,具有外延层的III族氮化物衬底的制造方法以及III族氮化物器件的制造方法
机译: III族氮化物半导体生长衬底,III族氮化物半导体外延衬底,III族氮化物半导体器件和III族氮化物半导体自支撑衬底及其制备方法