一种基于I-III-VI族量子点的白光发光二极管的制备方法

摘要

本发明公开了一种I‑III‑VI族量子点及其白光发光二极管的制备方法，包括制备无镉环保的AgInGaS2量子点(Core)，包括制备ZnS(Shell)形成AgInGaS2/ZnSQDs(Core/Shell)结构的I‑III‑VI族量子点，包括将I‑III‑VI族量子点涂覆在蓝光发光二极管芯片上得到量子点的白光发光二极管。本发明采用分步合成法、涂覆技术和紫外固化技术实现I‑III‑VI族量子点及其白光发光二极管的制备，制备方法简单，制备所得的量子点稳定性高，制备所得的光致发光芯片显示指数90以上，且色温可在冷、暖色调之间进行调节，有利于营造健康照明环境。