法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-01-23
专利权的转移 IPC(主分类):C23C16/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20121219 申请日:20030115
专利申请权、专利权的转移
2013-01-23
专利权的转移 IPC(主分类):C23C 16/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20121219 申请日:20030115
专利申请权、专利权的转移
2009-04-22
授权
授权
2009-04-22
授权
授权
2005-09-21
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-09-21
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-07-27
公开
公开
2005-07-27
公开
公开
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机译: 半导体装置的介电常数低的绝缘层的沉积方法,使用其的薄膜晶体管基板及其制造方法
机译: 半导体装置的介电常数低的绝缘层的沉积方法,使用其的薄膜晶体管基板及其制造方法
机译: 半导体装置的介电常数低的绝缘层的沉积方法,使用其的薄膜晶体管基板及其制造方法