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一种射频微系统中金丝互连垂直补偿结构及其设计方法

摘要

本发明涉及一种射频微系统中金丝互连垂直补偿结构及其设计方法,与现有技术相比解决了金丝互连补偿结构需占用表层面积的缺陷。本发明的带状传输线位于表层微带传输线的正下方,带状传输线的长边与表层微带传输线的长边相垂直,所述的接地电感补偿结构包括金属化接地通孔,金属化接地通孔位于介质基板B内,金属化接地通孔的顶部与带状传输线相接触,金属化接地通孔的底部与介质基板B的下表面相接触。本发明有效解决了小型化、多通道、高密度射频微系统封装中金丝互连线的寄生电感效应补偿设计问题,改善金丝互连线的阻抗匹配和传输特性,利用射频微系统的多层结构,在垂直方向上进行混合电感和电容的特征阻抗补偿设计。

著录项

  • 公开/公告号CN113036377B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 安徽大学;

    申请/专利号CN202110229117.7

  • 申请日2021-03-02

  • 分类号H01P3/08(20060101);

  • 代理机构34131 合肥国和专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张祥骞

  • 地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号

  • 入库时间 2022-08-23 12:32:32

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