公开/公告号CN110879343B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-24
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市晶导电子有限公司;
申请/专利号CN201911029949.3
申请日2019-10-28
分类号G01R31/26(20140101);
代理机构44224 广州华进联合专利商标代理有限公司;
代理人虞凌霄
地址 518101 广东省深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园3号厂房1-4楼
入库时间 2022-08-23 12:31:52
机译: 制造能够通过源极和漏极之间的穿通来防止泄漏电流的半导体器件的方法
机译: 同时抑制源/漏区与基质及其制造方法之间逆向窄通道效应和漏电流的半导体器件
机译: 具有包括高k介电保护膜图案的埋入式门图案的半导体器件及其制造方法,可通过减小源/漏区的电阻来增强电流特性