在半导体器件中形成存储节点接触塞的方法

摘要

提供了一种在半导体器件中形成存储节点接触塞的方法。该方法包括：在具有传导塞的基板之上形成层间绝缘层；使用至少线型存储节点接触掩模作为蚀刻掩模来蚀刻层间绝缘层的一部分以形成具有倾斜侧壁的第一接触孔；蚀刻在第一接触孔下的层间绝缘层的另一部分以形成暴露传导塞的第二接触孔，第二接触孔具有基本上竖直的侧壁；并填充第一和第二存储节点接触孔以形成存储节点接触塞。