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机译:14nm节点逻辑和16nm半间距存储器件的接触层的极端紫外线工艺优化
TDC, ASML Taiwan, Ltd., No. 59, Ke-Ji 6th Rd., Hwa-Ya Technology Park, Gueishan Township, Taoyuan County 33383, Taiwan;
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机译:极紫外光刻中16纳米半间距蚀刻多层掩模的掩模三维效应
机译:半间距11nm节点缺陷检测性能的极紫外光刻图案化掩模检查工具的研究
机译:22纳米半节距节点处的极紫外二次电子模糊
机译:16纳米以下半节距节点的极紫外(EUV)掩模的替代封盖和吸收层研究
机译:在无铅组装环境中开发小间距(0.4 mm)层叠封装器件的组装工艺。
机译:CMOS逻辑器件中的Via Plug多级互连的工艺优化
机译:对于极端紫外线光刻的负色调化学放大的分子抗蚀剂平台朝向11nm半间距分辨率