半导体器件中制造存储节点接触的方法及半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件中制造存储节点接触的方法及半导体器件，方法包括在半导体衬底中形成有源区、沟槽隔离结构、字线和位线，在位线之间形成接触窗，在接触窗内形成源极触点和间隔壁，去除部分源极触点以使源极触点显露的端面面积大于间隔壁围成的面积，并形成存储节点接触。半导体器件包括半导体衬底上形成的有源区、沟槽隔离结构、字线和位线；位线之间设有接触窗，接触窗中设有源极触点和间隔壁；源极触点与间隔壁之间设有扩展区以使源极触点显露的端面面积大于间隔壁围成的面积，并形成存储节点接触。本发明通过增加源极触点显露端面的接触面积，使存储节点接触和源极触点的接合层接触面积最大化，提高半导体器件的导电性能。