一种单晶硅片表面织构化的方法

摘要

本发明实施例公开了一种单晶硅片表面织构化的方法，包括：将单晶硅片置于混合溶液A中进行表面金属沉积和刻蚀处理，形成倒金字塔状织构；其中，所述混合溶液A包含氢氟酸、氧化剂、金属离子、分散剂及水；所述分散剂包括阴离子型分散剂、非离子表面活性剂、崩解剂及水，且基于所述分散剂的总质量，所述阴离子型分散剂的质量百分数为20‑40％，非离子表面活性剂的质量百分数为8‑15％，崩解剂的质量百分数为3‑8％，余量为水；清洗去除单晶硅片表面残留的金属或金属氧化物。本发明的技术方案可以有效防止金属粒子团聚，使得单晶硅片表面金属粒子沉积的更加均匀，这样很容易在单晶硅片表面形成尺寸可控的倒金字塔状织构。