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公开/公告号CN109243994B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-21
原文格式PDF
申请/专利权人 北京大学;
申请/专利号CN201811089232.3
发明设计人 武燕庆;李栓;傅凯;林友宇;郑捷;李星国;
申请日2018-09-18
分类号H01L21/66(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11426 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘冬梅;范国锋
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2022-08-23 12:31:06
机译: 利用电荷泵的生物传感器,一种生物传感器装置,一种生物传感器装置的制造方法以及一种生物材料检测方法,能够使用CMOS工艺技术提供具有高再现性的纳米间隙的FET结构。
机译: 通过电化学沉积制备具有双层结构的MoO3-Pt薄膜的方法以及通过该方法制备的MoO3-Pt薄膜
机译: 通过电化学沉积制备具有双层结构的MOO3-PT薄膜的方法和该方法制备的MOO3-PT薄膜
机译:使用Ti籽晶层制备高织构化的Mo和AIN薄膜,用于集成高Q薄膜体声谐振器
机译:具有rho拓扑结构的类沸石金属有机骨架(ZMOF)的高取向薄膜的制备和非共价改性
机译:MOSBAUER和在高缩合率上制备的Fe-C薄膜对效果的结构研究
机译:通过有机金属分解(MOD)法制备氮氧化物纳米结构薄膜的制备方法
机译:单混合前驱体MOCVD制备钇钡氧化铜高转变温度超导薄膜及其表征。
机译:人口子结构下稀有变异的关联分析:一种在分析中可能引起偏差的主题检测方法—Topt:一种异常值检测方法
机译:薄膜制备,结构和性质。高剂量B +植入Ti薄膜的表征。
机译:单混合前驱体mOCVD制备YBa2Cu3O(7-δ)高T(sub c)薄膜及其表征