一种高电导率Mo金属薄膜结构及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种高电导率Mo金属薄膜结构及其制备方法和应用，其制备方法包括，在Mo金属膜表面生长保护层，随后进行高温退火处理；保护层为等离子体增强化学气相沉积法生长的100‑300nmSiO2层；高温退火处理为先抽真空至10‑4Pa，再在1750‑2400Pa氩气下800‑1100℃下退火45‑90min。本发明的方法通过在Mo金属膜表面生长保护层后进行高温退火处理，可改善其微观结构，进一步提高Mo金属薄膜结构的电学性能，实现其电阻率的有效控制；其工艺简单，工艺参数可控，重复性好，较常规制备方法而言其原料成本和加工成本大幅下降，应用前景好，能满足微机电系统和集成电路应用的需要。