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公开/公告号CN109037326B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 大连理工大学;
申请/专利号CN201810789995.2
发明设计人 黄火林;李飞雨;陶鹏程;孙仲豪;曹亚庆;
申请日2018-07-18
分类号H01L29/778(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/06(20060101);
代理机构21235 大连智高专利事务所(特殊普通合伙);
代理人马庆朝;张钦
地址 116023 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
入库时间 2022-08-23 12:28:53
机译: 一种用于承载多个双筒定日镜的支撑结构,其包括由多个梁形成的壳体,因为该框架具有大致三角形的周长,并提供了多个组件用于沿P型定日镜Erimetro进行运输;太阳能集中系统。
机译: 具有亚芳基和硅氧烷结构的聚合物,一种相同的制备方法,一种粘合剂组合物,一种粘合剂板,一种用于半导体装置的保护材料以及一种半导体装置
机译:一种具有三维p型埋层的超高压4H-SiC混合PiN肖特基二极管
机译:具有P型埋层的新型局部SOI功率器件结构
机译:具有p型GaN栅极触点的增强型Al_xGa_(1-x)N / GaN结异质结构场效应晶体管的制作
机译:具有P型岛的改进的埋层整流器结构
机译:具有有源结构的高频共振增强型微执行器,用于高速流量控制
机译:在草履虫四膜虫和疟原虫中具有哺乳动物腺苷酸环化酶拓扑结构的N-末端P型ATPase样结构域的鸟苷酸环化酶。
机译:具有大参数的高阶Painlevé方程的WKB分析。二。 —(PJ)m(J = I,34,II-2或IV)的瞬时子型解的结构定理,它接近第一种简单的P型转折点
机译:具有GaInp包层和质量传输埋层异质结构的低阈值InGaas应变层量子阱激光器(λ= 0.98微米)