以非极性晶面SiC为衬底的单层石墨烯及可控生长方法

摘要

一种以非极性晶面SiC为衬底的单层石墨烯及可控生长方法，所述可控生长方法是在非极性晶面SiC衬底的任意角度的非极性晶面上外延生长单层石墨烯，由此利用所述非极性晶面对石墨烯的电输运性质进行调控；通过所述可控生长方法能够在所述非极性晶面SiC衬底的其中一非极性晶面上得到弹道输运性质的单层石墨烯。