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公开/公告号CN110176173B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 中国人民解放军陆军装甲兵学院;
申请/专利号CN201910559069.0
发明设计人 毛保全;白向华;赵其进;杨雨迎;王之千;朱锐;李华;陈春林;张天意;
申请日2019-06-26
分类号G09B23/18(20060101);H05H1/10(20060101);
代理机构11543 北京八月瓜知识产权代理有限公司;
代理人马东瑞
地址 100072 北京市丰台区杜家坎21号院
入库时间 2022-08-23 12:28:36
机译: 磁控等离子体处理单元和磁控等离子体处理方法
机译: 用离子束和磁控等离子体结合磁控等离子体和离子束源对物体进行组合处理的方法
机译: 磁控等离子体的磁场发生器,等离子体刻蚀装置和包括该磁场发生器的方法
机译:磁控氮化钛薄膜直流磁控辉光放电等离子体特性研究
机译:强脉冲磁控磁控系统的等离子体特性研究
机译:旋转圆柱形磁控磁控磁控磁阻的等离子体排放监测
机译:先进的SERS传感系统,通过磁控纳米等离子体探针的操纵。
机译:磁控激光诱导等离子体微加工单晶体硅加工特性研究
机译:核聚变装置中等离子体平衡控制。 2.磁控装置中的等离子控制。 2.1托卡马克等等离子体控制。
机译:用于激光韦克菲尔德加速的磁控等离子体波导。