一种压电光电子学光电探测器及其构建方法

摘要

本发明涉及微纳能源技术领域，公开了一种基于异质结的压电光电子学光电探测器的结构，所述光电探测器包括：衬底、黏附层、导电沟道层、压电材料层和两端电极。所述黏附层在所述衬底1上，所述导电沟道层3位于所述黏附层2上，所述压电材料层4位于所述导电沟道层3上，所述两端电极5分布于所述导电沟道层3的左右两端，并且不与所述压电材料层4接触。这种新型器件结构中，流过器件的电流只通过器件中载流子迁移率高的半导体，摆脱电极与界面串联的结构对器件性能的限制，使得器件表现出可被机械输入信号调控的特性以及主动探测所受应变的特性。