公开/公告号CN112735982B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 江苏新智达新能源设备有限公司;
申请/专利号CN202011605839.X
申请日2020-12-30
分类号H01L21/67(20060101);H01L21/677(20060101);H01L21/683(20060101);H01L21/329(20060101);
代理机构32333 南京中高专利代理有限公司;
代理人陈章
地址 214000 江苏省无锡市梁溪区会北路26-14
入库时间 2022-08-23 12:27:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-30
著录事项变更 IPC(主分类):H01L21/67 专利申请号:202011605839X 变更事项:发明人 变更前:向军封浩冯霞霞王金磊 变更后:向军
著录事项变更
机译: 单晶基质,带晶膜的单晶基质,晶膜,用晶膜制造单晶基质的方法,制造晶基基质的方法以及元素制造方法
机译: 制造微晶半导体膜的方法,具有微晶半导体膜的薄膜晶体管以及具有微晶半导体膜的光电转换装置
机译: 制造微晶半导体膜的方法,具有微晶半导体膜的薄膜晶体管以及具有微晶半导体膜的光电转换装置