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包括拓扑绝缘体材料的电互连

摘要

本公开涉及电互连(1)。为了在小尺寸结构中和高频率情况下提供用于有效地传导电流的手段,本公开提供一种具有沟道部分(50)的电互连,该沟道部分(50)包括至少一个沟道层(10),该沟道层由弱拓扑绝缘体材料制成并具有顶表面(11),该顶表面具有从电互连(1)的第一端(2)延伸到第二端(4)的多个凹槽(12),其中顶表面(11)和每个凹槽(12)的底表面(12.2)是绝缘的,而每个凹槽(12)的每个侧表面(12.1)包括具有一对拓扑保护的一维电子沟道(15)的导电区(14)。该电互连包括拓扑绝缘体材料。

著录项

  • 公开/公告号CN110291630B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 IEE国际电子工程股份公司;

    申请/专利号CN201880011361.2

  • 发明设计人 C·保利;

    申请日2018-02-12

  • 分类号H01L23/532(20060101);H01L21/768(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人刘炳胜

  • 地址 卢森堡埃希特纳赫

  • 入库时间 2022-08-23 12:26:25

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