具有低接触电阻的有机场效晶体管

摘要

本发明提供了一种并入通过将结合阴离子的分子薄层插入在半导体与源极‑漏极电极数组之间而形成的自对准经掺杂接触件的晶体管器件结构，其中该半导体在与该结合阴离子层的界面处p掺杂；和一种使用并入该分子薄层中的氧化剂物质制备该结构的方法。该器件在接触件处显示出欧姆空穴注入和空穴提取以得到具有低接触电阻的高性能晶体管特性。