公开/公告号CN108878890B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-03
原文格式PDF
申请/专利权人 中南大学;
申请/专利号CN201710334734.7
申请日2017-05-12
分类号H01M4/66(20060101);H01M4/60(20060101);H01M4/13(20100101);H01M4/137(20100101);H01M4/134(20100101);H01M10/0525(20100101);
代理机构43114 长沙市融智专利事务所(普通合伙);
代理人张伟;魏娟
地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
入库时间 2022-08-23 12:25:32
机译: 涂覆有高导电性含碳纳米孔和超薄金属膜的导电单晶硅颗粒,包括其的高容量锂阳极材料及其制备方法
机译: 高导电性含碳纳米孔包覆的导电单晶硅颗粒及其超薄金属膜高容量锂阳极材料及其制备方法
机译: 高导电性含碳纳米孔包覆的导电单晶硅颗粒及其超薄金属膜高容量锂阳极材料及其制备方法