一种扫描电镜半导体纳米线光机电耦合特性原位表征方法

摘要

本发明涉及一种单根半导体纳米线原位表征方法，尤其涉及一种在扫描电子显微镜中应用的单根半导体纳米线光机电耦合特性原位表征方法。本发明方法在扫描电镜中的建立了单根半导体纳米线光机电耦合特性原位表征系统，可开展四种类型的半导体纳米线耦合特性原位表征：1)光电耦合特性原位表征，2)光机耦合特性原位表征，3)机电耦合特性原位表征，4)光机电耦合特性原位表征。本发明优点在于：在扫描电镜中一体化集成了半导体纳米线的光学、机械和电学表征器件，建立了高效的单根半导体纳米线光机电耦合特性原位表征系统，可以灵活适应不同类型的半导体纳米线耦合特性原位表征需求，操作简单、高效、应用范围广。