在垂直晶体管器件上形成底部与顶部源极/漏极区的方法

摘要

本发明涉及在垂直晶体管器件上形成底部与顶部源极/漏极区的方法，其揭示一通过方法主要包括：形成一垂直定向通道半导体结构于一衬底上面，进行一外延沉积工艺以在该外延沉积工艺期间同时形成一底部源极/漏极区的至少一部分与一顶部源极/漏极区的至少一部分，且在进行该外延沉积工艺之后，形成一栅极结构于该垂直定向通道半导体结构的一部分四周。