存储器外围电路的阈值调整层的形成方法和外围电路结构

摘要

本发明涉及一种存储器外围电路的阈值调整层的形成方法和外围电路结构，所述阈值调整层的形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括外围电路的高压区域；在所述衬底表面形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层至少暴露部分所述高压区域；以所述图形化掩膜层为掩膜，对所述高压区域进行阈值调整注入，在所述高压区域内形成阈值调整层和/或在所述高压区域表面形成高压器件的栅介质层。仅在所述高压区域形成阈值调整层，避免对其他区域器件性能造成影响。