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公开/公告号CN109659356B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-27
原文格式PDF
申请/专利权人 河南师范大学;
申请/专利号CN201811549341.9
发明设计人 安义鹏;康军帅;焦聚涛;王天兴;焦照勇;张朝晖;笪海霞;
申请日2018-12-18
分类号H01L29/24(20060101);H01L29/06(20060101);B82Y30/00(20110101);
代理机构41139 新乡市平原智汇知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人路宽
地址 453007 河南省新乡市牧野区建设东路46号
入库时间 2022-08-23 12:23:01
机译: 基于电沉积钒氧化物层的电流控制负微分电阻的低电压阈值开关设备
机译: 具有电流控制的负微分电阻的可缩放且低电压的无电铸纳米氧化钒钒阈值开关装置和松弛振荡器
机译: 具有电流控制的负微分电阻的可扩展和低压无电铸纳米级二氧化钒阈值开关设备和张弛振荡器
机译:基于单壁竹形碳纳米管的分子器件的负微分电阻和开关特性:研究纳米器件设计的第一性原理
机译:具有多个负微分电阻峰的有机量子阱及其光开关效应
机译:具有负微分电阻的阈值位置敏感光电开关
机译:具有多个负微分电阻开关的InGaP / GaAs双异质结发射极双极晶体管的研究
机译:晶体管电路中的负微分电阻(非线性,器件,化合物,SCR建模,电阻多端口)。
机译:基于BiFeO3纳米岛的无选择器电阻开关存储单元具有高电阻比和非线性因子
机译:利用单层石墨烯FET中的负微分电阻来获得高电压增益
机译:InGaas双通道晶体管的负微分电阻