锗硅异质结双极晶体管及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，集电区包括整体集电区和局部集电区并和赝埋层接触；基区由形成于集电区表面的P型锗硅外延层组成；发射区由形成于基区上部的N型多晶硅组成且分成底部多晶硅和顶部多晶硅。局部集电区和底部多晶硅的发射区窗口采用相同的光刻图形定义实现局部集电区和底部多晶硅的完全对准；外基区的离子注入前所述发射区窗口介质层被去除，外基区的带倾角的离子注入和底部多晶硅的侧面自对准，使底部多晶硅外被顶部多晶硅覆盖的交叠外基区的掺杂增加从而降低基区电阻。本发明还公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法。本发明能同时提高器件的特征频率和最高振荡频率，适用于器件的超高频的应用需求，且工艺成本低。