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机译:使用IBM 5HP硅锗异质结双极晶体管BiCMOS技术制造的预分频器的单事件翻转测试结果
Reed; R.A.; Marshall; P.W.; Ainspan; H.;
机译:硅锗BiCMOS技术中硅锗异质结双极晶体管性能下降的表征
机译:硅锗异质结双极晶体管静电放电功率钳位和RF BICMOS SiGe技术中的Johnson Limit
机译:硅局部氧化中的激光诱导单事件瞬态和深沟槽隔离硅锗异质结双极晶体管
机译:在IBM的5HP硅锗异质结双极晶体管BICMOS技术中制造的预射程镦粗测试结果
机译:块状硅锗异质结双极晶体管工艺的特征在于单事件效应分析和电荷收集机制。
机译:锗在锗注入制备的siGe异质结双极晶体管多晶硅发射极中的扩散
机译:使用二氧化硅回蚀的自对准非选择性薄外延薄锗基硅锗(SiGe)异质结双极晶体管BicMOS工艺
机译:在绝缘体上硅衬底上制造高性能SiGe异质结双极晶体管BiCMOS的方法
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